فرشته رضایی ارپاتپه - دانشگاه آزاد تهران رشته برق گرایش کنترل
جواد رضایی ارپاتپه - دانشگاه محقق اردبیل رشته برق گرایش قدرت
بنیامین قنبرعالی - دانشگاه آزاد اردبیل رشته برق الکترونیک گرایش دیجیتال
علی قوسی آدم درسی - دانشگاه آزاد اردبیل رشته برق گرایش مدارهای مجتمع خطی

با پیشرفت تکنولوژیهای زیر میکرومتر، صتعت الکترونیک در جهت کاهش ابعاد ترانزیستورها و بکتربردن ادوات سیلیکونی در مقیاس بزرگ مجتمعسازی پیش میرود . این مقاله طرد جدیدی برای ساختار ترانزیستورهای SOI-MOSFET به عنوان راه کاری مناسب برای کاهش اثرات مخرر پدیده خودگرمایی ارایه می دهد. ایده اصلی در ارایه این ساختار نوین، استفاده از ماده Si۳N۴ میباشد که دارای هدایت گرمایی بیشتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. نتایج به دست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لایه ای می تواند نقش به سزایی در انتقال گرما به لایه های زیرین لایه مدفون داشته و از افزایش گرما در کانال جلوگیری نماید

ترانزیستور اثر میدان، سیلیسیم روی عایق، خود گرمایی