سمانه شربتی - عضو هییت علمی گروه الکترونیک - دانشگاه سمنان
سیدسعید افضلی - دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک - دانشگاه سمنان
نگین کوچک پور - دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک - دانشگاه سمنان

با پیشرفتهای اخیر در طراحی افزاره، بازدهی سلولهای خورشیدی تک پیوندی ) Single Junction ) GaAs به حد تیوری خود نزدیک شده است. هدف از این مقاله، طراحی ساختارهای نوین برای سلول GaAs بمنظور افزایش بازدهی آن میباشد. در این ساختارها سعی بر آن استکه با در نظر گرفتن بازترکیب تابشی و چرخه جذب فوتون، جریان اتصال کوتاه سلول افزایش و با کاهش بازترکیب غیرتابشی، ولتاژ مدار باز سلول بهبود یابد. کاهش مکانیزم بازترکیب از طریق القا میدان الکتریکی با افزایش ضخامت AlGaAs و تدریجی نمودن توزیع ناخالصی دهندههامیباشد. در این ساختار طراحی شده بازدهی به میزان8/3%بهبود یافته است.

آلیاژ AlGaAs ، بازترکیب تابشی، بازترکیب غیرتابشی، سلول تک پیوندی GaAs