علی بهاری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه - گروه فیزیک
مینا السادات اطیانی

فیلم های نیترید سیلیکون که تا کنون بر زیر لایه ی si (100)2*1 رشد یافته اند ساختارهای کریستالی آلفایی و بتایی دارند و قادر نیستند از جریان نشتی حامل ها و جریان تونل زنی ممانعت کنند. در اینجا، توانستیم فیلم آمورف و خالص نیترید سیلیکون را بر زیر لایه ی si (100)2*1 رشد دهیم و به دلیل اهمیت ساختار سطح، در کار حاضر به ساختار کپه ای در کنار ساختار سطح فیلم پرداخته ایم در واقع با روش برازش گوسی ساختار نوار ظرفیت فیلم های فرا نازک نیترید سیلیکون را بررسی کردیم که نتایج بدست آمده نشاندهنده ی آمورف بودن فیلم نیترید سیلیکون است.

گیت دی الکتریک ها، نانو ترانزیستور ، نانو ساختار ، نیترید سیلیکون فرا نازک و تکنیک تابش سینکروترونی