عباس علیایی - دانشگاه سمنان دانشکده برق
فرزاد توکل همدانی - دانشگاه سمنان دانشکده برق

با توجه به انرژی شکاف ترازی سیلیکون ، که در محدوده طول موج مخابرات نوری قرار دارد، فرآیند های نور ی غیرخطی به خصوص جذب دو فوتونی، جذب ناشی از حامل های آزا د و اثر تغییر ضریب شکست پلاسم ا ، نقش مهمی در انتشار پرتو و خصوصیات طیفی آن در موجبر سیلیکون دارند. این آثار با کمک الگوریتمی مرکب از روش ADE و روش اعمال جذب به جزء رسانش، در شبیه سازی FDTD وار د شدند . این الگوریتم برای شبیه سازی انتشار پرتو در موجبر سیلیکون HIC تک مود بکار برده شد. نتایج شبیه ساز ی در توافق با گزارش های تجربی است . بر پایه د ا نسته های ما، این دومین الگوریتم FDTD غیرخطی کامل ارائه شده تا به حال است . این الگوریتم در مقایسه با اولین الگوریتم ارائه شده، ضمن افزایش سرعت اجرا، قابلیت بیشتر ی در بررسی جداگانه هر یک از فرآیندهای غیرخطی نوری دارد طوری که م ی توان بدون تغیی ر شکل الگوریتم هر فرآیند دیگری را با مدل مناسب به آن افزو د . اجرای شبیه ساز ی برای ساختارهای پیچیده تر شامل حلقه های مشدد به سادگی امکان پذیر است.

اپتیک غیرخطی، موجبر سیلیکون ،TPA ،Finite-difference time-domain method