دنیا آدابی - گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد، ایران
محمدرضا شایسته - استاد گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی ، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد ، ایران
آرشام بلیوانی اردکانی - گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی ، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد ، ایران

در سال 1965 مور پیش بینی کرد بعد از گذشت هر هجدهماه تعداد ترانزیستورهای روی یک تراشه دو برابر میشود. این پیشبینی با کوچک کردن ابعاد ترانزیستور محقق شد.. با کوچک شدن ابعاد ترانزیستورها و حرکت به سمت تکنولوژیهای نانومتری بروز مشکلات جدیدی عملکرد سیستم را تحت تاثیر قرار می دهد. از جمله این مشکلات میتوان نوسانات فرآیند، خطاهای نرم و سالخوردگی را نام برد. از آنجا که نوسانات سالخوردگی از مهمترین عوامل موثر در پدیده سال خوردگی میتوان به کوچک شدن تکنولوژی ساخت و افزایش دما در سطح تراشه به دلیل افزایش تعداد ترانزیستورها اشاره کرد. مکانیزمهای غالب پدیده سالخوردگی شکست وابسته به زمان، ناپایداری حرارتی بایاس،اثر حامل داغ و مهاجرت الکتریکی هستند. تمامی مدلهای مکانیزم سالخوردگی وابسته به تکنولوژی است. پارامترهای تکنولوژی که تاکنون استخراج شده همه مربوط به تکنولوژی CMOS بوده و اکثرا برای طول گیت بزرگ تر از 32 نانومتر بوده است. در این مقاله پس از مطالعه مکانیزمهای مختلف سالخوردگی برای تکنولوژی 10،14نانومتر FinFET مدل مداری ناپایداری حرارتی بایاس و شکست وابسته به زمان استخراج شده و اثر این عوامل بر عملکرد ترانزیستور مورد بررسی قرار میگیرد

تکنولوژی نانومتری، ترانزیستور فین فت ، سالخوردگی، قابلیت اطمینان