حسین اصغر رهنمای علی آباد - گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار
سیدمحمد حسینی - گروه فیزیک دانشگاه فردوسی مشهد،
عباس یوسفی - گروه فیزیک دانشگاه فردوسی مشهد،

خواص اپتیکی سرامیک SiC در دو فاز مکعبی و هگزاگونال و اثر افزودنیهای گروه نیتروژن با استفاده از محاسبات اصول اولیه بر پایه نظریه تابعی چگالی و با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) مطالعه شده است . نتایج بدست آمده نشان می دهد که با افزودن ناخالصی ها ی Bi,Sb,As,P,N به سیلیکون کارباید در فاز هگزاگونال گاف انرژی این ترکیب کاهش می یابد و خواص الکترونیکی آن بهینه می گردد . گاف انرژی غیر مستقیم سیلیکون کارباید در فاز مکعبی کوچکتر از فاز هگزاگونال می باشد و به عبار تی فاز مکعبی خواص الکترونیکی بهتری نسبت به فاز هگزاگونال دارد. فاز هگزاگونال خاصیت دو ضریب شکستی داشته ولی فاز مکعبی یک ضریب شکست دارد . ضریب شکست این دو فاز در راستا ی X با همدیگر تفاوت چندانی نمی کند.