فاطمه ابراهیمی - دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی اصفهان
فخرالدین اشرفی زاده - دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی مالک اشتر
سعیدرضا بخشی - دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی مالک اشتر

در این تحقیق با به کارگیری آندایزینگ دو مرحله ای، تمپلت آلومینایی منظم با قطر حفره 30 نانومتر و طول 15 میکرومتر ساخته شد. سپس با کمک روش غوطه وری در محلول سل، نانوسیم های فریت استرانسیوم تهیه شدند. نانوپودرهای فریت مورد نظر نیز با استفاده از روش سل- ژل سنتز شد. مشخصه یابی نانوساختارها با استفاده از پراش پرتو ایکس (XRD) میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدان (FESEM) و آزمون طیفسنجی توزیع انرژی (EDS) انجام شد. منحنی مغناطش برای نانوپودر و نانوسیم ها (در جهت موازی و عمود با محور نان وسیم) با استفاده از دستگاه تداخلسنج کوانتومی ابررسانایی (SQUID) رسم شد. نتایج بیانگر آن است آندایز دو مرحله ای در اگزالیک اسید 0/3 مولار در دمای چهار درجه سانتی گراد با آندایز مرحله اول 12 ساعت منجر به ایجاد تمپلت کاملا منظم می شود. روش غوطه وری در دما ی 80 درجه سانتیگراد به مدت دو ساعت منجر به ایجاد نانوسیم های یکنواخت و منظم فریت استرانسیوم میشود؛ نانوسیم های مغناطیسی درون تمپلت ناهمسانگردی عمودی از خود نشان دادند.

تمپلت آلومینایی، آندایزینگ، نانوسیم، فریت استرانسیوم، خواص مغناطیسی