سمیه فتوحی - گروه برق-الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، واحد اسلامشهر، دانشگاه آزاد اسلامی، اسلامشهر، ایران
حامد لشگری - گروه برق-الکترونیک، دانشکده گروه فنی و مهندسی، واحد اسلامشهر، دانشگاه آزاد اسلامی، اسلامشهر، ایران

در این مقاله با استفاده از روش تیوری تابعی چگالی در ترکیب با تابع گرین غیر تعادلی به شبیه سازی و تحلیل ویژگی های الکترونیکی و انتقالی نانو نوارگرافنی پیچ خورده در دو حالت بدون نقص و دارای نقص تهی جا پرداختیم. نمودار چگالی حالات نانو نوار گرافنی بدون نقص نشان می دهد که ساختار یک نیمه هادی دارای شکاف انرژی 8ر0 الکترون ولت است ولیکن در اثر پیچ خوردگی و در برخی از زوایای پیچ ساختار به فلز تبدیل می شود. در مقایسه با آن حضور نقص تهی جا در نانو نوار گرافنی آرمچیر پیچ خورده سبب می شود تا در زوایای پیچ صفر و 30 درجه شکاف انرژی بسیار کوچک و در حد میلی الکترون ولت می شود . افزایش بیشتر زاویه پیچ نیز سبب ایجاد پیک های شدید در انرژی فرمی می شود و بنابراین ساختار به فلز تبدیل می شود . مقایسه جریان ها در ولتاژ بایاس 2 ولت نشان می دهد که پیچ خوردگی سبب افزایش جریان و هدایت ساختار در هر دو حالت حضور و عدم حضور نقص تهی جا می شود.

نانو نوار گرافنی آرمچیر، نقص تهی جا ، پیچ خورده، تیوری تابعی چگالی، تابع گرین غیر تعادلی