سعید شجاعی - پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی، گروه فوتونیک الکترونیک، دانشگاه
منوچهر کلافی - پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی، گروه فوتونیک الکترونیک، دانشگاه
اصغر عسگری - پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی، گروه فوتونیک الکترونیک، دانشگاه

در این مقاله ضمن بررسی حالتهای اکسیتونی و دو اکسیتونی با استفاده از روش تغییرات در یک نقطه کوانتومی (GaN) گذارهای ممانهای دو قطبی در سیستم سه ترازی متشکل از حالت پایه و حالتهای اکسیتونی و دو اکسیتونی محاسبه شده است. گذردهی غیرخطی مرتبه سوم (X 3) با استفاده از صورت بندی ماتریس چگالی و نظریه اختلال مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج نشان میدهد که فقط اندازه نرخ زوال انتخابی اثرچشمگیری بر جمله دوم X 3 دارد. همینطور ملاحظه شد که با افزایش شعاع دیسک، اندازه X3 افزایش یافته و دچار جابجایی قرمز می شود.

نیمه هادی نیتریدی، اکسیتون ، دو اکسیتون، گذردهی غیرخطی