فاطمه خدادادی آزادبنی - دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، خیابان شریعتی، ته
محمود صداقتی زاده - دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، خیابان شریعتی، ته

در این مقاله به بررسی عمق نفوذ در لایه نازکی از سیلیکون، آلومینیوم و مس که در معرض تابش لیزر با توان 50W است پرداخته ایم. عمق نفوذ به ضریب جذب و ضریب جذب نیز وابسته به دماست. بنابراین با دانستن این نکته، عمق نفوذ باریکه لیزر و توزیع دمایی را در لایه ها بررسی می کنیم. در این شبیه سازی شدت باریکه لیزر در قسمت تحتانی لایه مسی 5.170065e -4 لایه آلومینیومی 6.243842 e -4 ، لایه سیلیکونی e -4 6.846152 بدست آمده است. امروزه انجام شبیه سازی در سیستم های مهندسی، به منظور افزایش عمر کاری قطعات، به همراه کاهش هزینه های تولید، امری ضروری بنظر می رسد.

لیزر، سطح ، عمق نفوذ، شبیه سازیFemlab