CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

بررسی عددی تاثیر میدان مغناطیسی بر جابجایی اجباری نانوسیال آب_اکسید روی در یک انبساط ناگهانی

عنوان مقاله: بررسی عددی تاثیر میدان مغناطیسی بر جابجایی اجباری نانوسیال آب_اکسید روی در یک انبساط ناگهانی
شناسه ملی مقاله: ICCONF03_198
منتشر شده در سومین کنفرانس ملی نوآوری و تحقیق در مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر و مکانیک ایران در سال 1396
مشخصات نویسندگان مقاله:

سیدمهدی ابراهیمی - کارشناسی ارشد، گروه مکانیک، واحد مشهد، دانشگاه آزاد اسلامی، مشهد، ایران
ایمان زحمتکش - استادیار، گروه مکانیک، واحد مشهد، دانشگاه آزاد اسلامی، مشهد، ایران

خلاصه مقاله:
در این پژوهش به مطالعه عددی جریان و انتقال حرارت در یک کانال با انبساط ناگهانی پرداخته شده است. هندسه مورد نظر در نرم افزار گمبیت رسم و شبکه بندی شده و در نرم افزار فلوینت تحلیل شده است. جریان متلاطم و مدل استفاده شده در کار حاضر مدل k-ɛ می باشد. اثر کسر حجمی (ϕ=1،2،3،4%) نانوذره اکسید روی، عدد رینولدز (10000-5000) و میدان مغناطیسی (Ha=0،10، 20) بر پارامترهای جریان و انتقال حرارت بررسی شده است. در پایان مشاهده شد که افزایش میدان مغناطیسی و کسر حجمی نانوسیال باعث افزایش ضریب انتقال حرارت جابجایی و تنش برشی دیواره می شود.

کلمات کلیدی:
نانوسیال، میدان مغناطیسی، انبساط ناگهانی، انتقال حرارت

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/741295/