محمود جعفری - دانشیار دانشگاه خواجه نصیر الدین طوسی، دانشکده فیزیک، تهران
خدیجه علوانی - کارشناسی ارشد فیزیک حالت جامد، دانشکده فیزیک، دانشگاه خواجه نصیر الدین طوسی

در این مطالعه خواص الکترونیکی نانو صفحه ی روی سولفید که یک نیمه رسانای مهم و پرکاربرد می باشد، با استفاده از نظریه تابعی چگالی و با تقریب PBE-GGA محاسبه کرده و با بررسی نتایج به دست آمده از محاسبات نشان داده ایم که روی سولفید دارای یک منطقه ممنوعه ی پهن به مقدار 2,525 الکترون ولت است که با نتایج تجربی و سایر کارهای گزارش شده مطابقت خوبی دارد.

نظریه تابعی چگالی، خواص الکترونیکی، نانوصفحه ی روی سولفید، شبه گرافن