داود آقاعلی گل - سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات هسته ای، بخش واندوگراف
علی باقی زاده - سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات هسته ای، بخش واندوگراف
داریوش فتحی - دانشگاه خواجه نصیرالدین طوسی - تهران خیابان شریعتی - خیابان جلفا، دانشکده علوم - گروه فیزیک

در این مقاله نحوه باز توزیع ناخالصی آرسنیک و تاثیر آن را بر روی سرعت رشد اکسید سیلیسیم که به روش اکسیداسیون گرمایی ( در دمای 900°C و با استفاده از بخار آب ) رشد داده شده است بررسی می کنیم. ناخالصی آرسنیک به وسیله کشت یونی با انرژی 100keV در نمونه سیلیسیم با جهت بلوری (100) کاشته شده و اثر ناخالصی آرسنیک با غلظتهای (فرمول درمتن مقاله ) بر سرعت رشد اکسید سیلیسیم به وسیله اندازه گیری ضخامت اکسید به روش پراکندگی برگشتی راترفورد (RBS) بررسی می شود. همچنین، نحوه توزیع ناخالصی آرسنیک و عمق آن از جمله مسایلی است که می توان بدین وسیله مطالعه کرد. مقایسه این نتایج با کارهای قبلی انجام شده در زمینه اکسیداسیون سیلیسیم برای نمونه های کشت شده، افزایش سرعت رشد را نشان میدهد. ایجاد Shallow Junction ها از جمله نتایج مورد انتظار است

پراکندگی برگشتی راترفورد، اکسیداسیون گرمایی، کشت یونی، بازتوزیع ناخالصی