صدیقه نیکی پار
اصغر عسگری

جی ام gm در این مقاله، یک مدل تحلیلی جامع برای محاسبه جریان و پارامترهای سیگنال کوچک مانند و فرکانس قطع میکروویو برای قطعه HEMT (ترانزیستور با تحرک پذیری الکترونی بالا)و ارائه شده است. همچنین وابستگی عملکرد آنها به پارامترهای فیزیکی مختلفت MISHFET AlGaN/GaN مورد بررسی قرارگرفته و مقادیر مناسب پارامتر ها برای بهینه سازی ساختار و بهبود عملکرد قطعه تعیین شده اند.