محمدرضا نجفی - دانشجوی دکتری دانشگاه جامع امام حسین (علیه السلام)، تهران، ایران

در این مقاله اثر افزودن نانوذرات بر انتقال حرارت جابجایی در یک حفره c شکل، تحت میدان مغناطیسی به روش عددی بررسی شده است. این جریان از پایین محفظه وارد شده و از بالا خارج می شود و دیواره سمت چپ نیز در دمای T_h می باشد. همچنین این محفظه تحت اثر میدان مغناطیسی یکنواختی قرار دارد. بررسی ها به ازای تغییر اعداد رایلی (فرمول در متن اصلی مقاله) و درصد حجمی نانوذرات (فرمول در متن اصلی مقاله) در حالت دایم انجام شده است. نتایج نشان می دهد رابطه مستقیمی میان عدد ناسلت و میزان افزایش نانوذرات وجود دارد به طوری که با افزایش درصد حجمی نانوذرات، انتقال حرارت افزایش می یابد.

نانوسیال، نانوذرات، عدد ناسلت، انتقال حرارت، جابجایی ، عدد رایلی