جمشید فریبرز - دانشکده مهندسی برق؛ دانشگاه علم و صنعت ایران
حسن سمیاری - دانشکده مهندسی برق؛ دانشگاه علم و صنعت ایران

در این مقاله، تبدیل فرکانسی فوتون بعنوان روشی موثر در افزایش بازدهی سلولهای خورشیدی تشریح شده است. سپس ساختاری مبتنی بر یک سلول تک پیوندی c-Si به همراه یک لایه تبدیل به پایین فوتون جفت شده در وجه بالایی سلول و یک بازتاب کننده پشتی قرار داده شده در وجه زیرین سلول معرفی گردیده است. نتایج شبیه سازی ها، بازدهی برابر 21/46% را برای این ساختار بدست می دهد که نسبت به بازدهی 15/3% برای سلول تکپیوندی ساده c-Si، افزایش 6/16% را نشان می دهد. همچنین نتایج بیانگر بهبود در سایر پارامترهای سلول می باشد.

تبدیل فرکانسی، بازدهی، سلول خورشیدی، تبدیل به پایین، بازتاب کننده پشتی