محمدرضا نجفی - گروه مهندسی مکانیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه جامع امام حسین (علیه السلام) ، تهران، ایران

در این مقاله اثر میدان مغناطیسی بر انتقال گرمای جابجایی توام آزاد و اجباری در یک محفظه حاوی نانوسیال به روش عددی بررسی شده است. اثر میدان مغناطیسی یکنواخت توسط عدد هارتمن (Ha) تعیین می شود. میدان های جریان، دما و میزان انتقال گرما پیش بینی شده است. بررسی ها به ازای تغییر اعداد رایلی (فرمول در متن اصلی مقاله) و هارتمن (فرمول در متن اصلی مقاله) در حالت دائم انجام شده است. نتایج این بررسی نشان می دهد که با افزایش عدد هارتمن و در حضور میدان مغناطیسی، انتقال حرارت کاهش می یابد.

انتقال حرارت، جابجایی، میدان مغناطیسی، نانوسیال، عدد ناسلت