مریم مختاری - دانشجوی علوم و فناوری نانو، پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان، ایران
مهرداد مرادی - دانشیار گروه علوم و فناوری نانو، پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان، ایران
محمد مهدی داستانی - دانشجوی علوم و فناوری نانو، پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان، ایران

در این مقاله اثر لایه نشانی بر روی امپدانس مغناطیسی در نوارهای آمورف آلیاژ Co68.15Fe4.35Si12.5B15مورد بررسی قرار گرفت. در این پژوهش از لایه نشانی نیکل و کبالت بر روی نوار آمورف استفاده شده است که باث افزایش اثر امپدانس مغناطیسی می شود که این موضوع می تواند در ساخت و بهبود حسگر بر اساس اثر امپدانس مغناطیسی بسیار مفید باشد. با تغییر ضخامت لایه های نیکل و کبالت درصد امپدانس مغناطیسی تغییر می کند به طوری که برای نمونه ی نیکل با افزایش ضخامت تا 5 نانومتر امپدانس مغناطیسی افزایش می یابد و برای ضخام تهای بالاتر از 5 نانومتر درصد امپدانس کاهش می یابد. برای نمونه ی با لایه نشانی کبالت افزایش امپدانس مغناطیسی تا ضخامت 10 نانومتر، ادامه پیدا می کند و با افزایش بیش تر ضخامت لایه ی کبالت درصد امپدانس مغناطیسی کاهش می یابد. امپدانس مغناطیسی یک پدیده ی کلاسیکی است و از پذیرفتاری مغناطیسی به طور جدی تاثیر می پذیرد و با افزایش پذیرفتاری مغناطیسی مشاهده می شود که درصد امپدانس مغناطیسی افزایش می یابد.

امپدانس مغناطیسی، لایه نشانی، الکترو نهشت، نوار مغناطیسی، طول جفت شدگی