مریم فریور - کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک،مربی سازمان آموزش فنی و حرفه ای کشور، شاهین شهر
پروین زنگنه - کارشناسی زبان و ادبیات فارسی، مربی سازمان آموزش فنی و حرفه ای کشور، اصفهان
پروانه احمدی مبارکه - کارشناسی ارشد ریاضی، سازمان آموزش فنی و حرفه ای کشور، مبارکه

این مقاله کاربردی از روش آنالیز هوموتوپی که اخیرا به دست آمده است را شرح میدهد که برای به دست آوردن تقریب راه حل معادله غیرخطی پواسن - بولتزمن در افزاره های نیمه هادی استفاده میشود. این مقاله یک راه حل تحلیلی برای توزیع پتانسیل در یک ) DG-MOSEFT ترانزیستور اثر میدانی تشکیل شده از فلز - اکسید- نیمه هادی با دو گیت) است.DG-MOSEFT یکی از پیشرفته ترین ساختارها را در تکنولوژی نیمه هادی دارد تمرکز اصلی روی ساخت آن در صنعت نیمه هادی است.

معادله غیرخطی پواسن-بولتزمن، ترانزیستور اثرمیدانی، آنالیز هموتوپی