مریم نیری - عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
مهدیه نیری - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
علیرضا حاجی ابراهیمی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

درسالهای اخیر با پیشرفت مقیاس بندی طول کانال افزاره MOSFET در فناوری نانومتری، استفاده از ساختارهای نوین نظیرSIO MOSFET از اهمیت بسزایی برخوردار گردیده است ادوات SOI MOSFET چند گیتی در مقایسه با افزاره های سیلیسیمی عملکرد بسیار بهتری را از خود نشان می دهند اصطلاح چند گیتی در واقع به یک الکترود گیت بر میگردد که دو یا چند ناحیه از کانال را در برگرفته است از میان ادوات SOI MOSFET چند گیتی ، افزارهای نوین گیت 3 دارای مشخصاتی مابین ادوات چهارگیتی و سه گیتی قرار هستند.

آثار کانال کوتاه، ترانزیستورهای SOI، جریان تحریک