ویدا خاکی مغانلو - دانشگاه ارومیه
محمدتقی احمدی - دانشگاه ارومیه

تحقیقات علمی قابل توجهی، درباره ی کربن نانو اسکرول انجام شده است. اما برای مطالعه ی ویژگی های نانو اسکرول سیلیکون کاربید تاکنون توجهی نشده است. در این مقاله به شبیه سازی نانواسکرول سیلیکون کاربید با استفاده از نرم افزار (ATK(Atomistix Tool Kit پرداخته شده است و تغییرات گاف انرژی بر اساس تغییرات زاویه های چرخش مختلف بررسی شده است. سپس نمودار انرژی باند بر حسب زاویه های مختلف رسم شده و نتایج بدست آمده از شبیه سازی بیان شده است. با توجه به شبیه سازی های انجام شده مشاهده شده است که با تغییرات زاویه، گاف انرژی دچار تغییر می شود.که در بخش نتیجه گیری به جزئیات آن اشاره شده است.

کربن نانو اسکرول، گاف انرژی، نانو اسکرول سیلیکون کاربید