لطفا کمی صبر نمایید ...
ورود
جستجوی پیشرفته
استعلام پایان نامه
مقالات فارسی
ISI
کنفرانسها
ژورنالها
مقالات فارسی
مقالات ISI
کنفرانس های ایران
ژورنالها و مجلات
مجموعه مقالات
جلسات علمی
ورود / ثبت نام
مقالات فارسی
مقالات ISI
کنفرانس های ایران
ژورنالها و مجلات
مجموعه مقالات
جلسات علمی
استعلام پایان نامه
ظاهر تیره
استعلام پایان نامه
جستجوی مقالات داخلی
دسته بندی:
مقالات کنفرانسی
مقالات ژورنالی
کتابها
طرح های پژوهشی
اسناد پژوهشی
گزارشات
نوع نتایج:
دارای فایل کامل
دارای فایل Word
جستجو بدون در نظر گرفتن جایگاه کلمات صورت بگیرد
محدود کردن سال انتشار مقاله به:
همه سالها
سالهای معین:
جستجو
نمایش
کلیه اطلاعات
فقط عنوان مقاله
تعداد نتایج در هر صفحه
10
20
مرتب سازی با
عنوان مقاله
سال انتشار
نمایه سازی
صعودی
نزولی
فیلتر نتایج
مقاله ژورنالی
Performance Optimization of an Electrostatically Doped Staggered Type Heterojunction Tunnel Field Effect Transistor with High Switching Speed and Improved Tunneling Rate
نویسندگان:
Mahdi Mohammadkhani Ghiasvand
،
Zahra Ahangari
،
Hamed Nematian
سال انتشار 1401
محل انتشار:
مجله نانو ساختارهای اپتوالکترونیکال شماره 1، دوره 7
تعداد صفحات:
18
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله ژورنالی
Switching Performance of Nanotube Core-Shell Heterojunction Electrically Doped Junctionless Tunnel Field Effect Transistor
نویسندگان:
Zahra Ahangari
سال انتشار 1399
محل انتشار:
مجله نانو ساختارهای اپتوالکترونیکال شماره 2، دوره 5
تعداد صفحات:
12
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله کنفرانسی
Workfunction Engineering of Dual Metal Double Gate TunnelField Effect Transistor for Power Relay Application
نویسندگان:
Saeid Marjani,
،
Hamid Mousavi
سال انتشار 1401
محل انتشار:
هشتمین کنفرانس بین المللی دانش و فناوری مهندسی برق مکانیک و کامپیوتر ایران
تعداد صفحات:
6
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله ژورنالی
Novel attributes of steep-slope staggered type heterojunction p-channel electron-hole bilayer tunnel field effect transistor
نویسندگان:
Zahra Ahangari
سال انتشار 1398
محل انتشار:
مجله بین المللی ابعاد نانو شماره 4، دوره 10
تعداد صفحات:
9
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله ژورنالی
Representation of a nanoscale heterostructure dual material gate JL-FET with NDR characteristics
نویسندگان:
Amirreza Bozorgi Golafzani
،
Seyed Ali Sedigh Ziabari
سال انتشار 1399
محل انتشار:
مجله بین المللی ابعاد نانو شماره 1، دوره 11
تعداد صفحات:
6
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله ژورنالی
طراحی و تحلیل یک ترانزیستور اثرمیدانی تونلی بدون پیوند دو گیتی با ساختار گیت چند ماده ای
نویسندگان:
نگار بشیری
،
رضا حسینی
سال انتشار 1400
محل انتشار:
فصلنامه مهندسی برق و الکترونیک ایران شماره 4، دوره 18
تعداد صفحات:
7
| زبان: فارسی
مشاهده خلاصه و دریافت