تعیین حجم حساس و بار بحرانی برای وقوع رخداد SEU در حافظه های نانومتری SRAM
محل انتشار: فصلنامه علوم و فناوری فضایی، دوره: 16، شماره: 2
سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 98
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JSST-16-2_004
تاریخ نمایه سازی: 2 مرداد 1402
چکیده مقاله:
در این پژوهش، حجم حساس و بار بحرانی یک حافظه SRAM با تکنولوژی ۶۵ نانومتری CMOS، به عنوان دو کمیت مهم در محاسبات ترابرد پرتو در رخداد به هم ریختگی تک حادثه ای (SEU) که رایج ترین رخداد در تحقیقات فضایی محسوب می شود، تعیین شد. بدین منظور، ابتدا یک سلول حافظه متشکل از ترانزیستورهای NMOS و PMOS با استفاده از نرم افزار Silvaco TCAD شبیه سازی شد. برای تعیین دو کمیت مذکور، پرتو با مقادیر مختلف از انتقال خطی انرژی (LET) به نواحی گوناگون ترانزیستورها تابانده شد و ولتاژ خروجی مورد بررسی قرار گرفت. بار بحرانی به عنوان کمترین بار لازم برای تغییر وضعیت منطقی سلول، با انتگرال گیری از جریان درین در لحظه تغییر وضعیت ولتاژ خروجی حاصل شد. برای تعیین حجم حساس نیز کمینه LET که در هر نقطه منجر به تغییر در وضعیت منطقی خروجی ها می شود، معیاری از حساسیت در نظر گرفته شد. نتایج ضمن تطابق با مراجع، مقادیر حجم حساس و بار بحرانی را به ترتیب µm۳ ۰۵۴/۰ و fC ۴۸/۱ نشان دادند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
غلامرضا رئیس علی
استاد، سازمان انرژی اتمی، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، تهران، ایران
معصومه سلیمانی نیا
دکتری، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی ایران، تهران، ایران
امیر مصلحی
استادیار، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی ایران، تهران، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :