استفاده از لایه های نانومتری دی اکسید قلع به منظور افزایش سیگنال کر مغناطیسی درساختار Cu/Co/SnO2 برای کاربرد حافظه ای
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی علوم و فناوری نانو
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,116
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NNTC01_383
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389
چکیده مقاله:
در دنیای فناوری اطلاعات ثبت و خواندن اطلاعات با سرعت بالا یکی از مهمترین بحث ها را به خود اختصاص داده است امروزه از لایه های نازک مغناطیسی به عنوا ن حافظه های مغناطیسی و از اثر مگنتواپتیکی کر به عنوان ابزاری برای خواندن اطلاعات از روی آنها استفاده می شود اغلب فلزات واسطه اثرکر کوچکتر از یک درجه در دمای اتاق دارند که باعث عدم دقت در فرایند خواندن اطلاعات می شود با کوچک شدن نواحی احتمال کاهش این اثر بیشتر نیز خواهد شد. دراین مقاله تلاش شده است که ساختار چند لایه ای Cu/Co/SnO2 با توجه به ضخامت لایه دی اکسید قلع به گونه ای طراحی شود که سیگنال کر در آن افزایش یابد.
نویسندگان
مهرداد مرادی
پژوهشکده علوم و فناوری نانو دانشگاه کاشان
مجید قناعت شعار
پژوهشکده لیزر و پلاسما دانشگاه شهید بهشتی تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :