پیشنهاد توپولوژی مبدل منبع ولتاژ چندسطحی

اینورترهای چندسطحی رفتار خوبی از نظر قابلیت افزایش سلولها و هزینه نسبتا کم دارد. به دلیل طیف هارمونیکی بهتر، عدم نیاز به فیلتر یا کوچک بودن اندازه آن، ولتاژ معکوس کمترکلیدهای قدرت، تعداد کلیدهای قدرت و منابعdc1 کاهش یافته نسبت به ساختار پایه دوسطحی دارای برتری هستند. مشکلات دو ساختار پایه اینورترهای با کلمپ دیودی با نقطه خنثی NPC2 و خازن شناور(FC3 )، تعداد زیاد اجزای تشکیل دهنده کلیدهای قدرت، دیودهای مهار، خازن های شناور و مشکلات ناشی از متعادل سازی ولتاژ خازن ها است. در ساختار مبدلهای CHB4 تعداد دیودها، منابع ولتاژdc و ادوات به کار رفته کاهش پیدا کرده است. برتری اینورترهای چندسطحی با افزایش تعداد سطوح ولتاژ، بیشتر می شود. برای داشتن تعداد سطوح ولتاژ بیشتر باید تعداد واحدهای پایه با هم سری شود که با این کار تعداد ادوات الکترونیک قدرت و منابعdc و نیز درایورها افزایش می یابد. ساختارهای مختلفی جهت به حداقل رساندن ادوات به کار رفته توسط محققان ارائه میشود. در این مقاله ساختار پیشنهادی با هدف کاهش تعداد ادوات مصرفی معرفی میگردد و نتایج آن بررسی میشود سپس ساختار ارائه شده برای اثبات درستی فرمولها و نتایج ارائه شده توسط نرم افزار PSCAD/EMTDC شبیه سازی میشود. در انتها نتایج این ساختار با ساختارهایی که توسط محققین این حوزه ارائه شده است مقایسه میشود تا برتری آن در کمینه سازی ادوات به کار رفته مشخص شود.