محاسبه ولتاژ شکست شکست آشکار ساز نوری بهمنی با روش مونت کارلو

سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,328

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

PHOTONICS03_073

تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1389

چکیده مقاله:

دراین مقاله با استفاده از روش عددی مونت کارلو به محاسبه ولتاژ شکست اشکارساز نوری بهمنی GaAs با ساختار pin می پردازیم برای شبیه سازی از یک مدل دو دره ای برای الکترون ها و دو باندی برای حفره ها استفاده می کنیم دراین تحقیق مهمترین سازوکارهای پراکندگی حامل الکتریکی یعنی فوتونی ناخالصی و یونیزاسیون برخوردی را در نظر می گیریم نتیجه شبیه سازی را در سه بخش یونیزاسیون برخوردی حامل الکتریکی بهره ا فزاره و ولتاژ شکست ارائه می کنیم.

نویسندگان

محمد سروش

استاد یار گروه برق-الکترونیک ،دانشگاه شهید چمران اهواز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • H. S. Nalwa, "Photodetectors and Fiber Optic s, Academic Press, ...
  • K. Tomizawa, " Numerical Simulation of Submicron Sem iconductor Devices", ...
  • M. Soroosh, M. K. Moravvej -Farshi, and K. Saghafi, _ ...
  • GaAs/AlGaAs APDs, " J. Electronics Express, vol. 5, pp. 853-859, ...
  • O. H. Kwon, M. M. Hayat, S. Wang, J. C. ...
  • K. F. Li, D. S. Ong, J. P. R. David, ...
  • نمایش کامل مراجع