بهینه یابی پارامترهای سنتز نانوذرات مغناطیسی با پوشش دی زایلوز بعنوان نمک کشنده در فرایند شیرین سازی آب به روش اسمز مستقیم

هدف از این مقاله سنتز نانوذرات مغناطیس ی پوشیده شده با د ی زایلو ز و اندازه گیری فشار اسمزی محلول آن در آب بعنوان محلول کشنده در فرایند شیرین سازی آب به روش اسمز مستقیم می باشد. در همین راستا، اتیلن گلیکول به عنوان عامل شبکه ساز برای پوشش دهی دی زایلوز fر نانوذارت مغناطیس ی استفاده گردید. همچنین در طرح آزمایشات از روش سطح پاسخ استفاده شد و طبق نتایج بدست آمده، در بهینه ترین حالت فشار اسمزی محلول کشنده حاوی نانوذرات سنتز شده در غلظت w/v% برابر با 0/81 بار می باشد که با افزایش این غلظت به فشار اسمزی بالاتر و مناسب برای فرایند اسمز مستقیم می رسیم که در نهایت می توان گفت محلول کشنده قابل قبولی در فرایند اسمز مستقیم می باشد