بررسی اثر تورفتگی گیت در سمت درین در ترانزیستور اثرمیدان فلز نیمه هادی در تکنولوژی سیلسیم روی عایق(SOIMESFET )با یک تکه اکسید اضافی بر مشخصات الکتریکی
سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 320
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF06_319
تاریخ نمایه سازی: 22 آذر 1399
چکیده مقاله:
در این مقاله با ارائه ساختار پیشنهادی، اثر تورفتگی گیت در سـمت دریـن در ترانزیسـتور اثرمیـدان فلـز نیمه هادی در تکنولوژی سیلسیم روی عایق با یک تکه اکسید اضافی شبیه سازی شده است. با اعمال تو رفتگی در گیـت، افزایش 18 درصدی ولتاژ شکست، افزایش 2/5 برابری جریان درین و افزایش 128 درصدی بیشینه توان خروجی در مقایسه با ساختار ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی در تکنولوژی سیلسیم روی عایق با اکسید اضافی بدون تـو رفتگـی گیـت (ساختار قابل مقایسه) حاصل شده است. نتایج این مقاله، بهبود عملکرد افزاره در کاربردهای ولتاژ بالا و توان بالا را نشـان میدهد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سوزان ساسانیان
کارشناس ارشد، گروه مهندسی برق، واحد رشت، دانشگاه آزاد اسلامی، رشت، ایران
فاطمه کهنی خشکبیجاری
استادیار، گروه مهندسی برق، واحد رشت، دانشگاه آزاد اسلامی، رشت، ایران