ارتقاء نانومتری صافی سطح ساچمه های سیلیکون نیتراید (Si3N4) با استفاده از پرداختکاری شیمیایی- مکانیکی (CMP)

سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 237

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_TUMECHJ-50-2_028

تاریخ نمایه سازی: 17 دی 1399

چکیده مقاله:

پرداختکاری شیمیایی- ­مکانیکی (CMP)، یکی از روش­های پرداختکاری نانومتری ساچمه­ها و ویفرهای غیرفلزی، مانند ساچمه­های سیلیکون نیتراید و انواع سرامیک­ها می­باشد. در این فرآیند، ذرات ساینده (ZrO2, CeO2, Fe2O3) که سختی کمتری نسبت به قطعه­کار دارند، در سیالی غوطه­ور هستند. در همین حالت، قطعه­کار با سیال پایه (آب، هوا، آب اکسیژنه و یا روغن) واکنش شیمیایی داده و یک لایه نازک سیلیکا (SiO2) روی سطح قطعه­کار ایجاد می­شود. برداشت لایه نازک اکسیدشده، توسط ذرات ساینده، در نتیجه­ این واکنش، به­راحتی از سطح قطعه­کار انجام می­گیرد. عوامل موثر در پرداختکاری شیمیایی- مکانیکی شامل 1- غلظت ذرات ساینده، 2- سرعت دوران کله­گی ماشین فرز، 3- زمان پرداختکاری و 4- نوع ذرات ساینده است که با تغییر هر کدام، عواملی مانند 1- زبری سطح، 2- کرویت و 3- نرخ براده­برداری تغییر می­کند. در تحقیق حاضر، برای پرداخت شیمیایی- مکانیکی ساچمه­های سیلیکون نیتراید، دستگاهی آزمایشگاهی طراحی و ساخته شد و جمعاً 24 آزمایش برای بررسی فاکتورهای ذکر شده بر صافی سطح قطعه­کار و نرخ برداشت ماده، با نرم­افزار Minitab، طراحی و انجام گردید. برای هر کدام از فاکتورها، دو سطح تنظیم شد و پس از آنالیز واریانس نتایج تجربی، معادله­های رگرسیون برای صافی سطح و نرخ برداشت ماده بدست آمد. در آزمایش­های انجام شده، با استفاده از هر سه ذره ساینده، با افزایش زمان پرداختکاری، سرعت دوران کله­گی ماشین فرز و غلظت ذرات ساینده، میزان برداشت ماده بیشتر شده و کیفیت سطح نیز بهبود یافت. ریخت­شناسی زبری سطح با استفاده از طیف­نمائی پرتو ایکس مطالعه شد. هم­چنین، امکان­پذیری انجام واکنش­های شیمیایی توسط معادله انرژی آزاد گیبس بررسی گردید. درنهایت، راه­کارهایی برای پرداخت بهینه ساچمه­های سرامیکی با توجه به شرایط آزمایشگاهی و آنالیز واریانس پیشنهاد شد. مقایسه نتایج تجربی نشان داد که زبری سطح ساچمه­های پرداخت­شده توسط ذرات ساینده Fe2O3  به مراتب بهتر از دو ساینده دیگر است(Ra= 69 nm).

نویسندگان

مهرداد وحدتی

دانشیار، گروه مهندسی مکانیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، تهران، ایران

سیدعادل عاملی کلخوران

دانشجوی دکتری، گروه مهندسی مکانیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، تهران، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • ]1[ وحدتی م.، عاملی کلخوران س. ع.، پرداخت نانومتری سطوح ...
  • [2] Fritze K. Z., Removal mechanism in polishing of silicon ...
  • [3] Fischer T. e., Tribo-Chemistry. Ann. Rev. Material Science, pp. ...
  • [4] Kikuchi M, Takashi Y, Suga T, Suzuki S, Mechano-Chemical ...
  • [5] Zhu Y., Xia C., Zhou H., Huang C., Effect ...
  • [6] Zhang Z., Cui J., Zhang J., Liu D., Yu ...
  • [7] Jiang M., Wood N.O, Komanduri R., On Chemo- Mechanical ...
  • [8] Chen R., Li S., Wang Z., Lu X., Mechanical ...
  • [9] Forsberg M., keskitalo N., Olsson J., Effect of dopants ...
  • [10] Mandal S., Thomas E. L. H., Gines L., Morgan ...
  • [11] Kim H., Hong S., Shin C., Jin Y., Lim ...
  • [12] Song Z., Liu W., Wang L., Chemical Mechanical Polishing ...
  • [13] Pan G., Shi X., Zhou Y., Xu L., Zou ...
  • [14] Basim G. B., Ozdemir Z., Ozdemir A., Application of ...
  • [15] Jonas P., Ederer J., Pilarova V., Henych J., Tolasz ...
  • [16] Mahalik N. P., Micromanufacturing and Nanotechnology, Springer, 2014. ...
  • [17] Kenneth C. C., Lucy N., Handbook of thin film ...
  • نمایش کامل مراجع