تاثیر میدان الکتریکی عمود بر ویژگی های الکترونی و نوری نانو نوارهای سیلیسینی زیگزاگ دولایه

در این مقاله تاثیر میدان الکتریکی عمود بر روی ویژگیهای الکترونی و نوری نانونوارهای سیلیسینی زیگزاگ دولایه را بررســی میکنیم . محاســبات عددی، در مدل تنگبســت انجام گرفته اســت. نتایج عددی ما نشــان میدهد، با اعمال میدان الکتریکی عمود گذار فاز فلز- نیم رســـانا رخ میدهد و جذب نوری افزایش می یابد. از این ویژگی میتوان در اپتو الکترونیک و اسپینترونیک نوری بهره برد.

کلیدواژه ها:

ساختار نواری ، سیلیسین دولایه ، میدان الکتریکی ، ویژگیهای نوری.

نویسندگان

مریم نظری

دانشگاه زنجان، دانشکده علوم، گروه فیزیک

فرهاد خوئینی

دانشگاه زنجان، دانشکده علوم، گروه فیزیک

صدور گواهی نمایه سازی
من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

https://civilica.com/doc/1141060

شناسه ملی سند علمی:

ICNNA01_153

تاریخ نمایه سازی: 21 دی 1399

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:

نظری، مریم و خوئینی، فرهاد،1399،تاثیر میدان الکتریکی عمود بر ویژگی های الکترونی و نوری نانو نوارهای سیلیسینی زیگزاگ دولایه،اولین همایش بین المللی علوم و فناوری نانو،تهران،https://civilica.com/doc/1141060

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1399، نظری، مریم؛ فرهاد خوئینی)
برای بار دوم به بعد: (1399، نظری؛ خوئینی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:

رتبه علمی دانشگاه زنجان

نوع مرکز: دانشگاه دولتی

تعداد مقالات: 11,777

در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات مرتبط جدید