Theoretical Investigation of Doping Effect of Fe for SnWO4 in Electronic Structure and Optical Properties: DFT Based First Principle Study

سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 214

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_AJCS-3-5_008

تاریخ نمایه سازی: 22 دی 1399

چکیده مقاله:

In this work, the electronic band structures, total density of state, partial density of state, and optical properties were investigated using the first principle method for SnWO4 via generalized gradient approximation (GGA) based on the Perdew–Burke–Ernzerhof (PBE0). The estimated band gap was found to be 0.557 eV which is supported for good semiconductor. The density of states and partial density of the states were simulated for evaluating the nature of 5s, 4d 5p for Sn, 6s, 4f, 5d for W and 2s, 2p for O atom for SnWO4. The optical properties for instance, conductivity, dielectric function, and the loss function were calculated. The main goal of this research study was to determine the Fe doping activity on the electronics structure and optical properties by 8%, and the band gap was recorded in 0.0 eV, showing as a superconductor. Regarding the optical properties, the loss function was decreased after doping.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

Md Mahmud Hasan

Department of Physics, European University of Bangladesh, Gabtoli, Dhaka-۱۲۱۶, Bangladesh

Ajoy Kumer

Department of Physics, European University of Bangladesh, Gabtoli, Dhaka-۱۲۱۶, Bangladesh

Unesco Chakma

Department of Electrical and Electronic Engineering, European University of Bangladesh, Gabtoli, Dhaka-۱۲۱۶, Bangladesh

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • [1] T.C. McGill, Journal of Vacuum Science and Technology 1974, ...
  • [2] C.R. Crowell, S.M. Sze, Solid-state Electron., 1966, 9, 1035–1048. ...
  • [3] S. Adachi, Properties of semiconductor alloys: group-IV, III-V and ...
  • [4] Y.H. Li, W. Aron, S. Chen, W.J. Yin, J. ...
  • [5] M.J. Islam, A. Kumer, SN Appl. Sci. 2020, 2, ...
  • [6] S.A. Dayeh, J. Wang, N. Li, J.Y. Huang, A.V. ...
  • [7] C. Luke, M.E. Campbell, Anal. Chem., 1953, 25, 1588–1593. ...
  • [8] V.T. Agekyan, Phys. Status soli. A, 1977, 43, 11–42. ...
  • [9] M. Dan, M. Cheng, H. Gao, H Zheng, C. ...
  • [10] U. Chakma, A. Kumer, K.B. Chakma, M.T. Islam, D. ...
  • [11] P.D. Cozzoli, R. Comparelli, E. Fanizza, M.L. Curri, A.  ...
  • [12] K.M. Kočí, K. Matějů, L. Obalová, S. Krejčíková, Z. ...
  • [13] A. Meng, X. Wang, X. Li, Z. Li, Ceram. ...
  • [14] K.B. Chakma, A. Kumer, U. Chakma, D. Howlader, M.T. ...
  • [15] U. Chakma, A. Kumer, K.B. Chakma, M.T. Islam, D. ...
  • [16] J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof, Phys. Rev. lett., ...
  • [17] G.F. Bertsch, J.I. Iwata, A. Rubio, K. Yabana, Phys. ...
  • نمایش کامل مراجع