طراحی و شبیه سازی ابعاد شعاعی ولتاژ و انرژی ترانزیستور CNTFET به منظور بهینه سازی توان توسط الگوریتم کلونی مورچگان و بهینه سازی نهنگ

رشد سریع فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و ورود به مرز فناوری نانو، همراه با مزایای دور از انتظاری که برای این فناوری به دنبال داشته، چالش های فراوانی را نیز فرا روی متخصصین الکترونیک قرار داده است. برخی از این چالش ها مربوط به فرآیند و فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و بخشی نیز مربوط به کوچک شدن ابعاد ترانزیستورها است که پایه و اساس آنها می باشد. افزایش این مسائل پژوهشگران را به فکر جایگزینی مواد جدیدی به منظور استفاده در مدارهای الکترونیکی انداخت، که به جای استفاده از ترانزیستورها و ابزارهای سیلیکونی که با چنین محدودیت هایی روبرو است، از مواد دیگری استفاده کنند. یکی از محتمل ترین جایگزین های CMOS ، ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لوله های کربنی ( CNFET ) است، که شامل نانو لوله های تک جداره نیمه هادی همجوار است که به دلیل خاصیت الکترونی عالی، قابلیت جایگزین شدن بر مدارات CMOS سیلیکونی را دارد. در این مقاله ابتدا ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی ( CNFET ) ،تاریخچه ،مزایا و محدودیت های آن ها را به طور اجمال مورد بررسی قرار میگیرد.سپس با استفاده از الگوریتم کلونی مورچگان و بهینه سازی نهنگ به بهینه سازی آن پرداخته می شود.