طراحی، شبیه‌سازی و تحلیل عملکرد هیدروفن‌های حساس باند پهن فرکانس پایین با استفاده از ترانزیستورهای گیت معلق

سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 242

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_HYDPHY-4-2_008

تاریخ نمایه سازی: 27 بهمن 1399

چکیده مقاله:

در این مقاله ساختاری نوین برای  طراحی و ساخت هیدروفن‌های حساس باندپهن فرکانس پایین ارائه شده است. ساختار پیشنهادی از یک ترانزیستور با گیت معلق تشکیل شده‌است. با برخورد امواج آکوستیکی به گیت معلقی که روی یک ترانزیستور اثر میدانی قرار دارد، فاصله بین گیت و کانال ترانزیستور و به‌تبع آن ظرفیت خازنی معادل بین گیت و کانال ترانزیستور تغییر می‌کند که این امر به تغییر در جریان و ولتاژ خروجی ترانزیستور می‌انجامد. در اینجا از تغییر فاصلة بین گیت و کانال ترانزیستورکه به تغییر جریان درین-سورس منجر می‌شود، برای آشکارسازی امواج آکوستیکی استفاده می‌شود. به‌منظوریافتن حساسیت ساختار پیشنهادی، در ابتدا میزان جابه‌جایی بیمِ معلقِ ترانزیستور به روش المان محدود موردبررسی قرار می‌گیرد. حساسیت به‌دست‌آمده برای ساختار پیشنهادی در محدودة فرکانس پایین (فرکانس‌های زیر ده هزار هرتز که پایین‌تر از اولین فرکانس رزونانس است db170-) است که در مقایسه با مبدل‌های سنتی افزایش نسبتاً مناسبی را نشان می‌دهد. بازه فرکانسی به‌دست‌آمده برای این هیدروفن‌ها از فرکانس‌های بسیار پایین تا 5/13 کیلوهرتز بوده و برخلاف مبدل‌های پیزوالکتریک سنتی، این مبدل نیازی به تقویت‌کننده بار در نزدیکی المان پیزوسرامیک ندارد. علاوه براین، ابعاد ساختار پیشنهادی در مقایسه با ساختارهای متداول کوچک‌تر است.

نویسندگان

روزبه نگهداری

دانشگاه صنعتی شیراز

محمد زارع احتشامی

مجتمع دانشگاهی هوادریا، دانشگاه صنعتی مالک اشتر

حسین شاهمیرزایی

مجتمع دانشگاهی هوادریا، دانشگاه صنعتی مالک اشتر

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • [1] Bai B, Ren Z, Ding J, Xu W, Zhang ...
  • [2] Zhang G, Liu M, Shen N, Wang X, Zhang ...
  • [3] Okada N, Takeuchi S. Robust hydrophone with hydrothermal PZT ...
  • [4] Chaggares NC, Ivanytskyy O, Pang G, Moszczynski M. Membrane ...
  • [5] Ando Y, Fletcher NH, Schroeder MR. Modern Acoustics and ...
  • [6] Helvajian H. Microengineering aerospace systems. Aiaa; 1999. ...
  • [7] Butler JL, Sherman CH. Transducers and arrays for underwater ...
  • [8] Sung M, Shin K, Moon W. A micro-machined hydrophone ...
  • [9] Sung M, Shin K, Moon W. A new transduction ...
  • [10] Arshad MR. Recent advancement in sensor technology for underwater ...
  • [11] Xue C, Chen S, Zhang W, Zhang B, Zhang ...
  • [12] Qiu Y, Gigliotti JV, Wallace M, Griggio F, Demore ...
  • [13] Ganji BA, Nateri MS, Dardel M. Design and modeling ...
  • [14] Mohammadi S, Abdalbeigi M. Analytical optimization of piezoelectric circular ...
  • [15] Liu C. Foundations of MEMS. Pearson Education India; 2012. ...
  • [16] Lee H, Kang D, Moon W. A micro-machined source ...
  • [17] Thuau D, Abbas M, Wantz G, Hirsch L, Dufour ...
  • [18] Zhu B, Zhang J, Varadan VK, Varadan VV. Solid ...
  • [19] Bradley AT, Jaeger RC, Suhling JC, O'Connor KJ. Piezoresistive ...
  • [20] Banerji S, Goh WL, Cheong JH, Je M. CMUT ...
  • [21] میرعشقی علی. مبانی الکترونیک. تهران: نشر شیخ بهایی؛ 1387.(جلد1) ...
  • نمایش کامل مراجع