مقایسه جریان ناشی از تابش اشعه فرابنفش بر دیود نوری PIN سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی
سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 284
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JIAE-18-1_006
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1399
چکیده مقاله:
تشعشع پرتو پرانرژی فرابنفش بر دیودهای نوری PIN، پارامترهای مطلوب این نوع فوتودیودها را کاهش می‌دهد. در این مقاله با ارائه مدل شبیه‌سازی، به بررسی اثرات تابش اشعه فرابنفش بر مشخصهی جریان روشنی در دو نوع دیود نوری گالیوم آرسنایدی و سیلیکونی پرداخته و جهت تائید روابط تحلیلی، به کمک نرم‌افزار سیلواکو-اطلس هر دو مدل دیودی شبیه‌سازی می‌شود. ابتدا دو مدل (سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی) تحت تابش منبع فرابنفش با طول موج ۳۰۰ نانومتر قرار گرفته و سپس، به بررسی پاسخ آنها در چندین بایاس معکوس پرداخته می‌شود. درنهایت مشاهده می‌شود که پس از تابش، جریان تاریکی در هر دو مدل دیود نوری، به‌طور قابل‌توجهی افزایش یافته است. همچنین جریان روشنی در دیود نوری گالیومآرسناید خیلی بیشتر از مدل مشابه سیلیکونی آن است. این پدیده ناشی از حساسیت بالاتر فوتودیودهای گالیومآرسنایدی به اشعه‌ی ّپر انرژی است.تشعشع پرتو پرانرژی فرابنفش بر دیودهای نوری PIN، پارامترهای مطلوب این نوع فوتودیودها را کاهش می‌دهد. در این مقاله با ارائه مدل شبیه‌سازی، به بررسی اثرات تابش اشعه فرابنفش بر مشخصهی جریان روشنی در دو نوع دیود نوری گالیوم آرسنایدی و سیلیکونی پرداخته و جهت تائید روابط تحلیلی، به کمک نرم‌افزار سیلواکو-اطلس هر دو مدل دیودی شبیه‌سازی می‌شود. ابتدا دو مدل (سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی) تحت تابش منبع فرابنفش با طول موج ۳۰۰ نانومتر قرار گرفته و سپس، به بررسی پاسخ آنها در چندین بایاس معکوس پرداخته می‌شود. درنهایت مشاهده می‌شود که پس از تابش، جریان تاریکی در هر دو مدل دیود نوری، به‌طور قابل‌توجهی افزایش یافته است. همچنین جریان روشنی در دیود نوری گالیومآرسناید خیلی بیشتر از مدل مشابه سیلیکونی آن است. این پدیده ناشی از حساسیت بالاتر فوتودیودهای گالیومآرسنایدی به اشعه‌ی ّپر انرژی است.
کلیدواژه ها:
dark current ، UV rays ، Gallium arsenide ، Photo diode ، Silicon ، فوتودیود ، جریان‌تاریکی ، اشعه فرابنفش ، سیلیکون ، گالیومآرسناید
نویسندگان
محمد رزاقی
Department of Electrical Engineering, University of Kurdistan, Sanandaj, Kurdistan, Iran
هانیه کرم
Department of Electrical Engineering, University of Kurdistan, Sanandaj, Kurdistan, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :