تاثیر ضریب کر نوری بر روی ساختار باند فوتونی بلورهای فوتونی تابعی با شبکه هگزاگونال

در این مقاله، بلورهای فوتونی تابعی را که در آنها ثابت دی‌الکتریک مراکز پراکندگی (میله‌ها) تابعی از مکان است، مورد مطالعه قرار داده‌ایم. شبکه مورد بررسی هگزاگونال بوده و سطح مقطع میله‌ها نیز دارای تقارن دایروی است که در زمینه هوا قرار گرفته‌اند. ساختار نوار فوتونی در هر دو قطبش الکتریکی و مغناطیسی برای امواج الکترومغناطیس محاسبه شده و نتایج به دست آمده وجود نواحی ممنوعه بسامدی (گاف نوار فوتونی) را نشان می‌دهند. فرض می‌شود که میله‌های دی‌الکتریک از مواد کر تشکیل یافته‌اند. بنابراین با در نظر گرفتن توزیع‌های متفاوت شدت نور، صورت‌های مختلفی برای تابعیت مکانی ثابت دی‌الکتریک میله‌ها حاصل خواهد شد. اثر ضریب تابع (متناسب با ضریب کر) بر روی ساختارهای نوار فوتونی به طور نظری بررسی شده است. نتایج به دست آمده نشان می‌دهند که پهنا و تعداد گاف‌های نوار فوتونی در بلورهای فوتونی تابعی نسبت به بلورهای فوتونی مرسوم قابلیت کنترل پذیری بیشتری دارند و می‌توانند در طراحی ابزارهای نوری بسیار مفید باشند.