روند کوچک سازی در فناوریCMOSو چشم انداز آینده

کوچکسازی ترانزیستورها به ویژه ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلز نیمه هادی طی نسلهای مختلف به هدف مدارات متراکمتر، هزینه کمتر و کاهش توان مصرفی دنبال شده است. در این زمینه گوردون مور از شرکت Intel پیشبینی هایی برای افزایش تعداد قطعات روی تراشه نسبت به زمان ارائه داده است. بر این مبنا در این مقاله نسلهای مختلف کوچک سازی در این فناوری به همراه ویژگیهای هر نسل بیان و با یکدیگر مقایسه شدهاند. همچنین آینده این فناوری و مفهوم فرا CMOS ها مورد بحث قرار میگیرند.