آنالیز خودگرمایی در تکنولوژی سلسیم روی عایق

سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,490

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE14_009

تاریخ نمایه سازی: 31 مرداد 1390

چکیده مقاله:

با کوچکتر شدن ابعاد ترانزیستور ها و مجتمع سازی آنها در مقیاس خیلی بزرگ مشکلات قابل ملاحظه ای درادوات سیلسیم بوجود می آید به برخی از این مشکلات از جمله کمتر شدن سرعت سوئیچینگ و بالا رفتن توان مصرفی می توا ن اشاره داشت بهترین تکنولوژی جایگزین تکنولوژی سیلسیم روی عایق می باشد این تکنولوژی نیز از این قاعده مستثنی نمی باشد مهمترین عیب تکنولوژی سیلسیم روی عایق پدیده خودگرمایی می باشد وجود لایه اکسید سیلسیم مانع انتقال گرما و خنک شدن عنصر می گردد دراین مقاله به بررسی و آنالیز پدیده خودگرمایی می پردازیم.

نویسندگان

حمید یزدانی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

موسی فلاح خورسند

دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ _ in SOI FinFETs ...
  • S Polonsky." Time-resolved measuremens of self- heating in SOI ", ...
  • D Vasileska, " SeIfheating in SOInanc deuicesLIEEE 2010 ...
  • LT Su, _ Measurement and modeling of self-heating in SOI", ...
  • نمایش کامل مراجع