وابستگی دمایی مشخصه های الکتریکی دیود سد شاتکی Al/p-Si
محل انتشار: فصلنامه صنایع الکترونیک، دوره: 10، شماره: 2
سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 429
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_SAIRAN-10-2_001
تاریخ نمایه سازی: 8 خرداد 1400
چکیده مقاله:
اتصالات فلز – نیمرسانای شاتکی بعنوان بخش پیچیده قطعات نیمرسانا و صنعت الکترونیک مورد توجه بوده اند. در این مقاله دیودهای شاتکی Al/p-Si به روش لایه نشانی تبخیر حرارتی بر بستر سیلیکان نوع پذیرنده ساخته و بر اساس نظریه گسیل گرما یونی مشخصه یابی شدند. پارامترهای فاکتور ایده آل، ارتفاع سد شاتکی و جریان اشباع معکوس، با انداز ه گیری منحنی جریان- ولتاژ (I-V) دیودهای بازپخت شده در محدوده دمایی °C ۱۰۰-۳۵۰ بدست آمدند. تاثیر بازپخت بر پارامترهای دیود سد شاتکی بررسی و مشخص شد که دمای بهینه بازپخت °C ۲۵۰ می باشد. سپس مشخصه جریان- ولتاژ دیودهای ساخته شده در گستره دمایی ۳۰۰-۱۵ کلوین اندازه گیری و فاکتور ایده آل، ارتفاع سد شاتکی و جریان اشباع معکوس تعیین گردید. مشخص شد با کاهش دمای دیود، ارتفاع سد شاتکی و جریان اشباع معکوس کاهش، اما فاکتور ایده آل افزایش می یابد. در خاتمه ارتفاع سد شاتکی و ثابت ریچاردسون دیود مذکور با در نظر گرفتن توزیع گاوسی ارتفاع سد محاسبه شدند. مقدار بزرگ و غیر منتظره فاکتور ایده آل را می توان با پراکندگی حامل ها از اتمهای Al نفوذ یافته به نیمرسانا در نزدیکی میانگاه Al/Si توجیه کرد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمدعلی صادق زاده
دانشگاه یزد- دانشکده فیزیک- عضو هیات علمی
عاطفه توکلی
فارغ التحصیل ارشد دانشکده فیزیک- دانشگاه یزد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :