طراحی تقویت کننده فراپهن باند کم نویز از نوع تمام تفاضلی گیت مشترک

سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 451

فایل این مقاله در 16 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_SAIRAN-10-3_004

تاریخ نمایه سازی: 8 خرداد 1400

چکیده مقاله:

با افزایش تعداد استانداردهای مخابراتی، نیاز به فرستنده - گیرنده های چند استانداردی افزایش یافته است. در این مقاله، هدف طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده کم نویز است که ضمن دارا بودن استانداردهای موجود، کل باند فرا پهن (UWB) را پوشش دهد. به این منظور پارامترهای اصلی طراحی نظیر نویز، بهره، تطبیق ورودی و سطوح جریان و ولتاژ بر اساس استانداردهای موجود در باند فرکانسی GHz ۱/۳ الی GHz ۶/۱۰ تعیین می شود. مدار پیشنهادی دارای ساختار تفاضلی گیت مشترک با بهره گیری از دو تکنیک افزایش ترارسانایی و استفاده مجدد از جریان است. با استفاده از این دو تکنیک در تقویت کننده کم نویز پیشنهادی در تکنولوژی m CMOSμ ۱۸/۰ TSMC ، توان مصرفی نسبت به سایر روش ها کاهش قابل ملاحظه ای یافت. علاوه بر این، عدد نویز حدود dB۸/۱، بهره مسطح dB۸/۱۲ الی dB۶/۱۳، خطینگی (IIP۳) dBm۷- و ضریب انعکاس ورودی کمتر از dB۱۰- حاصل شد.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده کم نویز ، فراپهن باند ، استفاده مجدد از جریان ، بهبود بهره ، تزویج خازن های ضربدری

نویسندگان

ناصر صالحی

دانشگاه صنعتی قم، دانشجوی کارشناسی ارشد

مهدی بکرانی

دانشگاه صنعتی قم، هیات علمی، دکترای برق الکترونیک

هادی زیانی

دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی قم

محمدمهدی تسخیری

دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی قم

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • S. B. T Wang, Design of Ultra-Wideband RF Front-End, Ph.D. ...
  • M. T. Mustaffa, A Reconfigurable Low Noise Amplifier for a ...
  • M. Ranjan, Analysis and Design of CMOS Ultra Wideband Receivers, ...
  • B. Razavi, RF Microelectronics, Upper Saddle River, NJ: Prentice Hall, ...
  • W. Zhuo, X. Li, S. Shekhar, S. H. K. Embabi, ...
  • A. Saberkari, Sh. Kazemi, V. Shirmohammadli, and M. C. E. ...
  • D. Bhatt, J. Mukherjee, and J. M. Redouté, “Low-power switched ...
  • V. Singh, S. K. Arya, and M. Kumar, “gm-boosted current-reuse ...
  • M. Hayati, S. Cheraghaliei, and S. Zarghami, “Design of UWB ...
  • C. W. Kim, M. S. Kang, P. T. Anh, H. ...
  • A. Bevilacqua, and A. M. Niknejad, “An ultrawideband CMOS low-noise ...
  • H. Darabi. and A. Abidi, “A ۴.۵ mW ۹۰۰-MHz CMOS ...
  • A. Sh. Jeffrey, An Eectronically Reconfigurable Three Band Low Noise ...
  • M. Khurram, and S. M. R. Hasan, “A ۳–۵ GHz ...
  • X. Fan, H. Zhang, and E. S. Sinencio, “A noise ...
  • K. H. Chen, J. H. Lu, B. J. Chen, and ...
  • A. N. Darwish, L. Albasha, and H. Alrifai, “An overview ...
  • R. Weng, M. Liu, and C. Y. Lin, “A low-power ...
  • D. J. Allstot, X. Li, and S. Shekhar, “Design considerations ...
  • X. Li, Low Noise Design Techniques for Radio Frequency Integrated ...
  • I. R. Chamas, and S. Raman, “Analysis, design, and X-band ...
  • Q. Li, and Y. P. Zhang, “A ۱.۵-V ۲–۹.۶-GHz Inductorless ...
  • D. M. Pozar, Microwave engineering, ۴th Ed. John Wiley & ...
  • [] ا . بیجاری ، م . شیخی ، "تقویت ...
  • T. M. Hsu, Y. Ch. Chang, and Y.Z. Huang, “Design ...
  • L. Ch. Fan, and L. Sh. Iuan, “A broadband noise-canceling ...
  • Y.J. Lin, Sh. S. H. Hsu, J. D. Jin, and ...
  • S. M. R. Hasan, “Analysis and design of a multistage ...
  • B. Hu, X. P. Yu, W. M. Lim, and K. ...
  • L. Nan, L. W. Feng, and L. Xiuping, “A CMOS ...
  • S. S. Regulagadda, B. D. Sahoo, A. Dutta, K. Y. ...
  • نمایش کامل مراجع