بررسی و مقایسه نانو ماسفت های دوگیته با cntfet

در دهه های اخیر بهعلت پیشرفت زیاد در الکترونیک، طول کانال ماسفت ها به مقیاس دکا نانو و سرعت دو قطبی ها نیز بههزاران گیگاهرتز رسیده است. در چنین ماسفت هایی که اندازه قطعه از طول پراکندگی حامل کوچکتر است احتمال اینکهحامل ها کانال را از الکترودهای سورس به درین بدون مواجهه با رخداد پراکندگی طی کنند بسیار زیاد می باشد؛ به چنینترابردی به اصطلاح ترابرد بالیستیک گویند. ولی در عمل مشخصات نانو ماسفت ها با حالت ایده آل و ترابرد بالیستیک فاصلهداشته که این به خاطر وجود پراکندگی در کانال می باشد. دراین کار پژوهشی علل ایجاد پراکندگی در کانال بررسی شده و درآخر راهکارهایی برای کاهش آن مطرح گردیده است. یکی از موارد کاهش پراکندگی کانال استفاده از نانولوله های کربنی درکانال بوده که تاثیرات آن مورد بررسی قرار گرفته است. در آخر نیز با استفاده از شبیه ساز سیلواکو منحنی مشخصه V-I یکFET دو گیته با CNTFET دوگیته ترسیم و مقایسه شده است.