شبیه سازی عددی سلول خورشیدی تک پیوندی GaAs به کمک دسته معادلات نفوذ-رانش
محل انتشار: همایش ملی اصلاح الگوی تولید و مصرف
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,378
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
OTMKERMAN01_040
تاریخ نمایه سازی: 24 آبان 1390
چکیده مقاله:
نظر به نقشسلول های خورشیدی در تولید و دستیابی به انرژی الکتریکی پاکو ارزان و بازده بالای سلول های خورشیدی GaAs در غیاث با سایر انواع سلول ها، در این مقاله سعی داریم تا به کمکدسته معادلات نفوذ- رانش یکسلول خورشیدی تکپیوندی GaAs را شبیه سازی کنیم. آثار مربوط به انعکاس سطحی و بازتاب لایه فلزی زیرین سلول طبق مدل های موجود، در شبیه سازی اعمال شده و سلول خورشیدی مورد نظر در دو حالت تاریک و در معرض تابش نور آفتاب شبیه سازی شده است. منحنی ولتاژ- جریان سلول در بخش نهایی ترسیم و ولتاژ مدار باز و جریان اتصال کوتاه به دست آمده از شبیه سازی عددی با نتایج تحلیلی مقایسه شده است که صحت و دقت شبیه سازی را نشان می دهد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
عبدالنبی کوثریان
ایران، دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی، گروه برق و الکترون
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :