تحلیل TCAD از تغییرات آلایش کانال بر مشخصه های الکتریکی ماسفت دو گیتی در کاربردهای آنالوگ و دیجیتال

در این مقاله، عملکرد ترانزیستور اثر میدان نیمه رسانای اکسید فلز دو گیتی (DG-MOSFET) در آلایش های گوناگون بررسی و تحلیل شده است. مشخصه های الکتریکی مهم در کاربردهای آنالوگ و دیجیتال، مانند ولتاژ آستانه، جریان خاموشی و جریان حالت روشن به ازای آلایش کانال متغیر از (۳-)۱x۱۰(۱۶)cm تا (۳-)۲x۱۰(۱۳)cm مقایسه شده اند. بایاس درین از ۱۰mV تا ۱V افزایش داده شده، تا تاثیر DIBL در آلایش کانال گوناگون بررسی گردد. افزون بر این، با توجه به اهمیت کلیدی نسبت ION/ IOFF در عملکرد دیجیتال افزاره، تاثیر آلایش کانال بر این مشخصه نیز بررسی شده است. در پایان، انتخاب مقدار بهینه ی آلایش کانال با توجه به رابطه های جایگزینی بین توانایی سوییچینگ، جریان حالت روشن، نیاز به توان و اثرات کانال کوتاه مانند DIBL و جریان خاموشی، بحث و بررسی شده اند. استخراج مشخصه ها در این مقاله با استفاده از ابزار شبیه ساز ATLAS(TM) انجام شده است.