بررسی و بهبود ساختار ترانزیستور اثر میدانی دو-گیتی با عایق اکسید آلومینیم ولایه گرافن

در این مقاله به بررسی و بهبود طراحی یک ترانزیستور اثر میدانی دو- گیتی (DGGFET) با دو لایه گرافنیدر ناحیه سورس، به منظور افزایش جریان حالت روشن پرداخته ایم. باتوجه به اینکه گرافن دارای خواصخوبی مثل رسانایی الکتریکی بالا، چگالی حالات دو-بعدی مناسب و تحرک پذیری بالای حامل های باراست، ما از آن برای افزایش جریان حالت روشن استفاده کردیم. لایه نشانی گرافن روی سطح سیلیکون بهروش APCVD قابل انجام است. ساختار ناهمگن ناخالصی نوع p در منطقه سورس-کانال و همزماناستفاده از لایه (Al(۲)O(۳ برای دو گیت باعث کاهش جریان نشتی در DGGFET می شود. در این ترانزیستورکه دارای کانال خیلی کوچک در حد ۳۰ نانومتر از جنس سیلیسیم روی یک عایق از جنس (Al(۲)O(۳ اکسیدآلومینیوم استفاده کرده ایم. در این افزاره پیشنهادی با توجه به اینکه ما از دو گیت در بالا و پایین ترانزیستورو از لایه گرافن استفاده کرده ایم لذا نام افزاره را DGGFET (دو-گیتی با لایه گرافن) قرار دادیم.افزاره پیشنهادی دارای ویژگی های الکتریکی برتر از نظر، رسانایی، نسبت جریان (I(on)/I(off، شیب زیرآستانه-ای و جریان نشتی کم است. مدل پیشنهادی با نرم افزار سیلواکو Silvaco مورد بررسی و ارزیابی قرار گرفت.