تاثیر دمای بازپخت بر تحرک پذیری و مشخصه های الکتریکی گیت دی الکتریک NiO/PVC

در ترانزیستورهای اثر میدانی ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون ۱ تا ۲ نانومتر است. بنابراین کاهش ضخامت گیت به ۱ نانومتر برای تولیدات آتی، سبب افزایش جریان تونلی و نشتی می شود. یکی از گزینه های مطلوب به عنوان گیت دی الکتریک،  نانو کامپوزیت های هیبریدی هستند که ثابت دی الکتریک بالا و گاف نواری پهنی داشته و در تماس با زیرلایه یا بستر سیلیکونی تعادل حرارتی دارند. در کار حاضر، نمونه های هیبریدیNiO/PVC با غلظت های مختلف ماده آلی را به عنوان یک ماده دی الکتریک مناسب به روش سل ژل سنتز کرده و تلاش کردیم به کمک تکنیک تجربی تحلیل حرارتی و مشتق آن، کاهش وزن نمونه ها را در مقابل حرارت بررسی کنیم. برای اندازه گیری تحرک پذیری، ثابت دی الکتریک و رسانندگی نمونه های مزبور در دماهای بازپخت مختلف با دستگاه A۱۳۲GPS، از محاسبه انرژی فعال سازی در نمودار لگاریتمی رسانندگی برحسب عکس دما استفاده کردیم. نتایج به دست آمده نشان می دهند که نمونه NiO/PVC:۲ به جهت دارا بودن ثابت دی الکتریک بالاتر جریان نشتی کمتری دارد. رفتار همه نمونه ها نسبت به افزایش دما تا دماهای ۴۰۰ کلوین تقریبا یکسان است. تفاوت میان نمونه ها در دماهای بالاتر بروز می کند، به صورتی که  نمونه NiO/PVC:۲  در دماهای بالای ۴۰۰ کلوین تحرک پذیری بالاتری دارند.