بررسی و مقایسه پارامترهای اتصالات نوری با اتصالات الکتریکی در مدولاتورها و آشکارسازهای نوری درون تراشه

در این مقاله دو نوع سیستم اتصالات الکتریکی به صورت خط انتقال نزدیک به سرعت نور و اتصالات نوری درون تراشه را برای پارامترهای مهم تاخیر و توان مصرفی بر حسب طول اتصالات در گره تکنولوژی ۲۲ نانومتر CMOS را مقایسه می کنیم و طول بحرانی را برای پارامترهای تاخیر و توان مصرفی بدست می آوریم. با این مقایسه می توان مشاهده کرد که تاخیر در سیستم اتصالات الکتریکی با روش خط انتقال نزدیک به سرعت نور حتی در طول های بزرگ و خارج از تراشه می تواند کمتر از اتصالات نوری باشد، اما توان مصرفی در اتصالات نوری درون تراشه در طول های بزرگتر از طول بحرانی کمتر از اتصالات الکتریکی حتی در حالت بهینه توان است. همچنین با مقایسه پارامترهای مختلف انواع ساختارهای مدولاتورهای الکتروشکست (تزریق بار و تخلیه بار) و انواع مدولاتورهای الکتروجذب و همچنین با مقایسه پارامترهای انواع آشکارسازهای نوری بهترین پیشنهاد برای مدولاتور و آشکارساز نوری برای کار درون تراشه را معرفی می کنیم.