بررسی تاثیر ضخامت اکسید بر کارایی و پارامترهای مهم سلولهای خورشیدی نانوساختار مبتنی بر سیلیکون سیاه

امروزه سلولهای خورشیدی نقش مهمی در تولید انرژی را دارند و اهمیت به کارگیری آنها بر کسی پوشیده نیست. همواره محققان در تلاش هستند با ارائه ی راهکارهایی عملکرد سلولهای خورشیدی را بهبود ببخشند. سیلیکون سیاه به سطح سیلیکون پوشانده شده از بافتهای نانو یا میکروساختار که به وسیله ی فرایند اچینگ ایجاد شده اند، گفته میشود که به طور موثر بازتاب را سرکوب میکند و در عین حال جذب نور را افزایش میدهد. ما در این مقاله به منظور بررسی تاثیر ضخامت اکسید بر عملکرد سلول سلولهای خورشیدی مبتنی بر سیلیکون سیاه، ابتدا یک سلول خورشیدی با مساحت سطح ۱۲ µm ۱۲× µm و ضخامت بستر ۳µ در نظر گرفته و نتایج نوری و الکتریکی حاصل ار آن را یک بار برای ضخامت اکسید ۱µm و بار دیگر برای ضخامت اکسید ۱/۵µm مورد ارزیابی قرار داده ایم. برای اطمینان از صحت نتایج بار دیگر این آزمایش را بر روی سلولی با مساحت سطح ۱۵ µm ×۱۵ µm انجام داده ایم و نشان دادیم پارامترهای الکتریکی حاصل از سلول های خورشیدی مبتنی بر سیلیکون سیاه مستقل از ضخامت لایه اکسید به کار رفته در آن است.