شبیه سازی و مقایسه انر نقص حجمی و نقص فصل مشترک بر عملکرد سلول فوتوولتاییکCdTe/CdS

در این مقاله سلول خورشیدی لایه نازک CdTe توسط نرم افزارSCSPS-۱Dشبیه سازی و بررسی شد. در شبیه سازی، نقص حجمی در لایه جاذب، نقص در فصل مشترک CdTe/CdS و نقص در فصل مشترکCdTe/CdS مدل سازی شد و اثرات آنها بر پارامترهای فوتوولتاییک سلول از قبیل ضریب پرشدگی، ولتاژ مدار باز، جریان اتصال کوتاه و بازده تبدیل توان برحسب تغییرات چگالی نقص بررسی شد. طبق نتایج شبیه سازی، با افزایش چگالی نقص حجمی در لایه جاذب، ضریب پرشدگی و بازده تبدیل توان سلول کاهش یافته است، به طوری که با تغییر چگالی نقص از ۱۰۱۲ تا۱۰۱۸cm۳ بازده کاهش ۴۷/۷۳ درصدی داشته است. همچنین با افزایش چگالی نقص در فصل مشترک بین لایه ها از مقدار °۱۰ تا cm۳ ۱۰۱۵ ضریب پرشدگی و بازده تبدیل توان روند نزولی داشته اند. با تغییر چگالی نقص در فصل مشترکCdTe/CdSبازده ۴۲/۶۳ درصد و در فصل مشترکCdS/ZnO ۱۰/۸ درصد کاهش داشته است