جاذب پهن باند تنظیم پذیر و غیرحساس به پلاریزاسیون بر پایه گرافن به شکل حلقه مربعی و مربع با چرخش ۴۵ درجه در باند تراهرتز

طراحی جاذب های پهن باند همیشه دارای چالش هایی از جمله مشکلات در ساخت و پیاده سازی بوده است. از جمله این مشکلات چندلایه بودن فراماده تعبیه شده در سطح و یا پیچیدگی طراحی این دست ازجاذب ها است. در این مقاله یک جاذب فراماده با جذب کامل بر پایه گرافن به شکل حلقه مربعی و مربع با چرخش ۴۵ درجه در باند تراهرتز ارائه و بررسی شده است. در طراحی این ساختار از طلا به عنوان زیرلایه رسانا و عایق سیلیسیم دی اکسید SiO۲ به عنوان زیرلایه جداکننده استفاده شده است این جاذب در فرکانس ۱.۶۳ تا THz ۲.۹۴ دارای جذب بالای ۹۰ درصد است و به عبارتی پهنای باند جذب بالای ۹۰ درصد آن برابر با THz ۳.۱ است که این ساختار قابلیت ساخت آسانتری دارد زیرا دارای تنها یک لایه گرافن می باشد و این لایه گرافنی طراحی نسبتا سادهای دارد. جاذب ارائه شدهیک ساختار تنظیم پذیر است زیرا میتوان فرکانس جذب آن را بدون ایجاد تغییرات ساختاری تنها با تغییر سطح فرمی گرافن μc ، تغییر داد. علاوه براین از آن جایی که جاذب ارائه شده طراحی متقارنی دارد، به پلاریزاسیون موج تابشی غیر حساس بوده و نسبت به تغییرات زاویه تابش نیز در بازه ۰ تا ۴۵ درجه از تحمل نسبتا بالایی برخوردار است. مکانیزم جذب این ساختار نیز بر پایه نوزیع میدان الکتریکی بررسی شده است. تمامی خصوصیاتی که جاذب ارائه شده به همراه دارد این جاذب را برای کاربردهایی نظیر سنجش و تصویر برداری بسیار مناسب می سازد.