تاثیر فشار هیدرواستاتیک برمینیمم نویز ترانزیستورهای AlGaN/GaN با تحرک بالای الکترونی

سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 147

فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_HYDPHY-6-2_008

تاریخ نمایه سازی: 16 آذر 1400

چکیده مقاله:

در این مقاله، مدل عددی برای محاسبه چگالی و جریان الکترونی چاه کوانتم ترانزیستورهای AlGaN/GaN با در نظر گرفتن فشارهیدرواستاتیکی ارائه شده است که امکان بررسی اثر فشار روی رسانندگی متقابل، ساب باند های چاه کوانتمی، جریانهای نشت سطحی و حجمی و نهایتا مینیمم نویز را فراهم می کند. دراین مدل از حل خودسازگار معادله شرودینگر و پواسون در بدست آوردن چگالی گاز الکترونی دو بعدی استفاده شده که در آن تا پنج ساب باند انرژی در نظر گرفته شده است. افزایش فشارمعادل گیت مجازی در ترانزیستورها در مجاورت گیت حقیقی عمل میکند که باعث افزایش عمق چاه کوانتم، جریان و چگالی الکترونی، رسانندگی متقابل، جریانهای نشت ونهایتا مینیمم نویز میگردد. با افزایش فشار ساب باندها چاه کوانتم دو بعدی به سمت پایین فشرده می شود و الکترون ها بستگی قوی پیدا می کنند و محدودیت کوانتمی افزایش می یابد . همچنین در هر فرکانس و جریان درین سورس دلخواهی افزایش فشار باعث افزایش مینیمم نویز می شود. نتایج محاسبه شده با داده های تجربی موجود مطابقت خوبی دارند.

نویسندگان

رجب یحیی زاده

گروه فیزیک، واحد خوی، دانشگاه آزاد اسلامی، خوی

زهرا هاشم پور

گروه فیزیک، واحد خوی، دانشگاه آزاد اسلامی، خوی

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • [۱]Latorre-Rey AD, Sabatti FF, Albrecht JD, Saraniti M. Hot electron ...
  • [۲]Ma J, Matioli E. Slanted tri-gates for high-voltage GaN power ...
  • [۳]Tang G, Kwan AM, Wong RK, Lei J, Su RY, ...
  • [۴]Sanabria C, Chakraborty A, Xu H, Rodwell MJ, Mishra UK, ...
  • [۵]Gongwei Hu, Ligie I, Yan Z. Tow dimensional electron gas ...
  • [۶]Bhattacharya M.et al. Influence of gate leakage current induced shot ...
  • [۷]Azam F, Tanneeru A, Lee B, Misra V. Engineering a ...
  • [۸]Kim HS, Kang MJ, Kim JJ, Seo KS, Cha HY. ...
  • [۹]Jogai B. Free electron distribution in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors. ...
  • [۱۰]Yahyazadeh R. Numerical Modeling of Electronic and Electrical Characteristics of ...
  • [۱۱]Yahyazadeh R, Hashempour Z. Numerical Modeling of the Electronic and ...
  • [۱۲]Vurgaftman I, Meyer JÁ, Ram-Mohan LÁ. Band parameters for III–V ...
  • [۱۳]Christensen NE, Gorczyca I. Optical and structural properties of III-V ...
  • [۱۴]Ambacher O, Foutz A. B, Smart J et al. Two ...
  • [۱۵]Ambacher O, Majewski J, Miskys C, et al. Pyroelectric properties ...
  • [۱۶]Ambacher O, Majewski J, Miskys C, Link A, Hermann M, ...
  • [۱۷]Jin-Feng Z, Jin-Cheng Z, Yue H. Temperature dependence of Hall ...
  • [۱۸]Fiorentini V, Bernardini F, Ambacher O. Evidence for nonlinear macroscopic ...
  • [۱۹]Perlin P, Mattos L, Shapiro NA, Kruger J, Wong WS, ...
  • [۲۰]Elibol K, Atmaca G, Tasli P. Lisesivdin S B. A ...
  • [۲۱]Bala KJ, Peter AJ, Lee CW. Simultaneous effects of pressure ...
  • [۲۲]Yang M, Lin Z, Zhao J, Cui P, Fu C, ...
  • [۲۳]Hashempour Z, Asgari A, Nikipar S, Abolhasani M, Kalafi M. ...
  • [۲۴]Chang Y, Zhang Y, Zhang Y. Thermal model for static ...
  • [۲۵]Goswami A, Trew RJ, Bilbro GL. Modeling of the gate ...
  • [۲۶]Turuvekere S, Karumuri N, Rahman AA, Bhattacharya A, DasGupta A, ...
  • [۲۷]Mojaver HR, Valizadeh P. Reverse gate-current of AlGaN/GaN HFETs: Evidence ...
  • [۲۸]Yahyazadeh R, Hashempour Z. Effects of hydrostatic pressure and temperature ...
  • [۲۹]Cui P, Liu H, Lin W, Lin Z, Cheng A, ...
  • [۳۰]Wu YF, Keller S, Kozodoy P, Keller BP, Parikh P, ...
  • [۳۱]Brudnyi VN, Kosobutsky A V, Kolin N G. Effect of ...
  • [۳۲]Dridi Z, Bouhafs B, Ruterana P. Pressure dependence of energy ...
  • نمایش کامل مراجع