طراحی و شبیه سازی مبدل ترنری به باینری بهینه شده بر پایه ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی
سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 222
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JASP-4-2_011
تاریخ نمایه سازی: 28 آذر 1400
چکیده مقاله:
این مقاله یک مبدل ترنری به باینری چند رقمی بهینه شده مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی ارائه می دهد. با توجه به ویژگیهای منحصر بفرد ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی همانند امکان طراحی با ولتاژ آستانههای مختلف برای ترانزیستور، طراحی سیستمهای منطقی چند ارزشی به مراتب سادهتر و کم هزینهتر می باشد. لذا با توجه به اینکه سیستمهای پردازشی موجود با مبنای دو کار میکنند طراحی مبدلهای باینری به ترنری و برعکس، سیستمهای پردازشی بسیار مهم و اساسی است. در این مقاله با اصلاح در بخشی از ساختار مداری مبدل ترنری به باینری سه رقمی کارایی سیستم افزایش یافته است. اصلاح مدار باعث کاهش سطح اشغالی تراشه، کاهش توان مصرفی و کاهش تاخیر مدار شده است. عملکرد مناسب و کارایی بهینه مبدل پیشنهادی با استفاده از شبیه سازی توسط نرم-افزار HSPICE و بر مبنای ترانزیستورCNTFET ۳۲ نانومتر تایید شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که مبدل ترنری به باینری ۳ به ۵ بهینه دارای توان مصرفی ۶۶۵/۰ و تاخیر انتشار ۳/۲۷ پیکو ثانیه است. این نتایج نشان می دهد به طور کلی شاخص PDP به میزان ۴/۱۴درصد بهبود یافته است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سید سعید موسوی
گروه مهندسی برق، دانشگاه شهید مدنی آذربایجان، تبریز
موسی یوسفی
گروه مهندسی برق- دانشکده فنی ومهندسی دانشگاه شهید مدنی آذربایجان
خلیل منفردی
هیات علمی-دانشگاه شهید مدنی آذربایجان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :